BD Plan Apo HR 100×物鏡Mitutoyo三豐

上述規格欄中的分辨力和物鏡單體焦深是根據基準波長(λ＝0.55μm)計算得出的值。

 BD Plan Apo HR
BD Plan Apo HR 50× 378-845-7 0.75 5.2 4 0.4 0.49 0.48 0.10×0.13 530
BD Plan Apo HR 100× 378-846-7 0.90 1.3 2 0.3 0.34 0.24 0.05×0.06 545

 NA=Numerical Aperture的略語
數值孔徑NA是決定物鏡分辨力、焦深、圖像亮度的重要數值。
數值孔徑NA通過下列公式來表示，其數值越大，就越能得到高分辨力、焦深淺的圖像
n是物鏡頂端與工件之間的媒介具有的屈光率，在空氣中n=1.0。是通過物鏡外側的光線與鏡頭中心（光軸）之間形成的角度
R=Resolving power的略語
能夠將離得很近的點或線區分開來的小間隔叫做分辨力，表示解像度的極限。
分辨力(R)由數值孔徑NA和波長(λ)來決定
W.D.=Working Distance的略語
是指對準焦點時從試樣上表面到物鏡前端的距離
齊焦距離
是指對準焦點時，從試樣上表面到物鏡安裝位置的距離

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M Plan Apo NUV/M Plan Apo NUV HR 
明視場用物鏡
(液晶玻璃厚度校正 近紫外區

LCD Plan Apo NUV/LCD Plan Apo NUV HR
明視場用物鏡
(紫外區
)
M Plan UV 
明視場用物鏡
(液晶紫外區
)
LCD Plan UV
成像
(鏡筒
)透鏡
MT 
測量顯微鏡用物鏡
ML 
定心顯微鏡用物鏡
CF 
大視場目鏡
/分劃板
WF/UWF
各種顯微鏡選件
支架、工作臺、照明裝置 
外形尺寸
(VMU/WIDE VMU/FS70
解說：接口螺紋標準

 緊湊、輕巧的相機觀察顯微鏡
適用于金屬、樹脂、印刷表面、微小運動物體等各種觀察對象。
·適用于使用YAG激光(近紅外、可見、近紫外、紫外)的微細加工※ ※不保證激光振蕩器配備系統的綜合性能和安全性。
半導體電路的切割、修整、修正、打標、薄膜(絕緣膜)的去除和加工、液晶彩色濾光片等的修復(修正缺陷)等。
·適用于紅外光學系統※
硅類的內部觀察、紅外光譜特征分析等。※另需紅外光源和紅外攝像機等。
·反射照明光學系統標配帶孔徑光闌遠心照明
需要均勻照明的圖像處理。可用于尺寸測量、形狀檢查、定位等。
·VMU-LB和VMU-L4B強化了顯微鏡主體的剛性和綜合性能(與以往產品相比)
·除標準規格外，還可按照需求設計制作雙相機、雙倍率(低倍率、高倍率)等產品

 BD Plan Apo HR 100×物鏡Mitutoyo三豐